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BUZ80A中文资料

BUZ80A图片

BUZ80A外观图

  • 大小：176.57KB
  • 厂家：SIEMENS [Siemens Semiconductor Group]
  • 描述：SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode)
  • 现有数量：0现货
  • 价格：Digi-Key 停止提供
  • 系列：SIPMOS?
  • 包装：管件
  • 产品状态：Digi-Key 停止提供
  • FET 类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：800 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：3.6A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：3 欧姆 @ 2A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：-
  • Vgs（最大值）：±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1350 pF @ 25 V
  • FET 功能：-
  • 功率耗散（最大值）：100W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：通孔
  • 供应商器件封装：TO-220AB
  • 封装/外壳：TO-220-3

BUZ80A供应商

更新时间:2023-01-03 19:55:01
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